Bipolaire RF-transistors

Bipolaire RF-transistors zijn halfgeleiderapparaten met drie aansluitingen die worden gebruikt om signalen te schakelen of te versterken in apparatuur met radiofrequenties. Bipolaire junctie-transistors zijn ontworpen als NPN of PNP, met kenmerken van het transistortype, collector-emitter-doorslagspanning, overgangsfrequentie, ruisgetal, versterking, vermogen, gelijkstroomversterking en collectorstroom.