STMicroelectronics_STI11NM60ND
original

STMicroelectronics
STI11NM60ND

278-STI11NM60ND
PDF-gegevensblad
10A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3

Waarom voor ons kiezen?

Professioneel platform

B2B & B2C inkoop

Snelle levering

1-2 dagen levertijd

Grote variëteit

Originele fabrikanten

365 dagen garantie

Verantwoorde kwaliteit
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische specificaties

Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Ingangscapaciteit
850pF
Meer tonen

FAQ

Wat is het montagetype van STI11NM60ND?
Volgens de huidige productspecificaties gebruikt STI11NM60ND een montagetype van Through Hole.
Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt STI11NM60ND?
Zijn er gerelateerde of alternatieve onderdelen voor STI11NM60ND?
In welke behuizing of verpakking is STI11NM60ND beschikbaar?
Wat is STI11NM60ND?
Snel citaat
TOEVOEGEN AAN RFQ-LIJST

Niet beschikbaar om online te kopen? Wilt u de lagere groothandelsprijs? Stuur een offerteaanvraag om de beste prijs te krijgen, wij zullen onmiddellijk reageren

SNELLE offerteaanvraag