


STMicroelectronics
STI11NM60ND
278-STI11NM60ND
PDF-gegevensblad
10A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
Waarom voor ons kiezen?
Professioneel platform
B2B & B2C inkoopSnelle levering
1-2 dagen levertijdGrote variëteit
Originele fabrikanten365 dagen garantie
Verantwoorde kwaliteitTechnische specificaties
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Ingangscapaciteit
850pF
FAQ
Wat is het montagetype van STI11NM60ND?
Volgens de huidige productspecificaties gebruikt STI11NM60ND een montagetype van Through Hole.
Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt STI11NM60ND?
Zijn er gerelateerde of alternatieve onderdelen voor STI11NM60ND?
In welke behuizing of verpakking is STI11NM60ND beschikbaar?
Wat is STI11NM60ND?



.png)













.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)










