Engels
Duits
Japans
Portugees
Korea
Mexico
STMicroelectronics
STB8NM60N
285-STB8NM60N
7A, 600V, 0.65ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
Waarom voor ons kiezen?
Professioneel platform
B2B & B2C inkoopSnelle levering
1-2 dagen levertijdGrote variëteit
Originele fabrikanten365 dagen garantie
Verantwoorde kwaliteit
.png)
Technische specificaties
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
7A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
650mR
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
650mR
Fall Time
10ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
FAQ
Wat is STB8NM60N?
STB8NM60N is een RF FETs, MOSFETs van STMicroelectronics. Op deze productpagina vind je de belangrijkste specificaties, prijsinformatie, beschikbaarheid en aanvraagopties.
Is STB8NM60N momenteel op voorraad?
Wat is het montagetype van STB8NM60N?
Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt STB8NM60N?
In welke behuizing of verpakking is STB8NM60N beschikbaar?
Snel citaat
TOEVOEGEN AAN RFQ-LIJST
Niet beschikbaar om online te kopen? Wilt u de lagere groothandelsprijs? Stuur een offerteaanvraag om de beste prijs te krijgen, wij zullen onmiddellijk reageren
SNELLE offerteaanvraag
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
