Engels
Duits
Japans
Portugees
Korea
Mexico
STMicroelectronics
STB4NK60Z-1
278-STB4NK60Z-1
N-channel 600 V, 1.7 Ohm typ., 4 A SuperMESH Power MOSFET in I2PAK package
13 Weeks
Waarom voor ons kiezen?
Professioneel platform
B2B & B2C inkoopSnelle levering
1-2 dagen levertijdGrote variëteit
Originele fabrikanten365 dagen garantie
Verantwoorde kwaliteit
.png)
Technische specificaties
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
4A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
2R
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Fall Time
16.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Ingangscapaciteit
510pF
FAQ
In welke behuizing of verpakking is STB4NK60Z-1 beschikbaar?
STB4NK60Z-1 is momenteel beschikbaar in de behuizing / verpakking TO-262-3.
Welke spanningsspecificatie staat vermeld voor STB4NK60Z-1?
Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt STB4NK60Z-1?
Zijn er gerelateerde of alternatieve onderdelen voor STB4NK60Z-1?
Wat is de standaard levertijd voor STB4NK60Z-1?
Snel citaat
TOEVOEGEN AAN RFQ-LIJST
Niet beschikbaar om online te kopen? Wilt u de lagere groothandelsprijs? Stuur een offerteaanvraag om de beste prijs te krijgen, wij zullen onmiddellijk reageren
SNELLE offerteaanvraag
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
