Engels
Duits
Japans
Portugees
Korea
Mexico
STMicroelectronics
STB11NM60N-1
278-STB11NM60N-1
PDF-gegevensblad
10A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
Waarom voor ons kiezen?
Professioneel platform
B2B & B2C inkoopSnelle levering
1-2 dagen levertijdGrote variëteit
Originele fabrikanten365 dagen garantie
Verantwoorde kwaliteit
.png)
Technische specificaties
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Fall Time
12ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Ingangscapaciteit
850pF
FAQ
In welke behuizing of verpakking is STB11NM60N-1 beschikbaar?
STB11NM60N-1 is momenteel beschikbaar in de behuizing / verpakking TO-262-3.
Wat is het montagetype van STB11NM60N-1?
Zijn er gerelateerde of alternatieve onderdelen voor STB11NM60N-1?
Welke spanningsspecificatie staat vermeld voor STB11NM60N-1?
Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt STB11NM60N-1?
Snel citaat
TOEVOEGEN AAN RFQ-LIJST
Niet beschikbaar om online te kopen? Wilt u de lagere groothandelsprijs? Stuur een offerteaanvraag om de beste prijs te krijgen, wij zullen onmiddellijk reageren
SNELLE offerteaanvraag
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
