Engels
Duits
Japans
Portugees
Korea
Mexico
onsemi
MJE18004D2
276-MJE18004D2
PDF-gegevensblad
High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector-Emitter Diode and Built-in Efficient Antisaturation Network, TO-220 3 LEAD STANDARD, 50-TUBE
Waarom voor ons kiezen?
Professioneel platform
B2B & B2C inkoopSnelle levering
1-2 dagen levertijdGrote variëteit
Originele fabrikanten365 dagen garantie
Verantwoorde kwaliteit
.png)
Technische specificaties
Package/Case
TO-220-3
Collector Base Voltage (VCBO)
1kV
Collector Emitter Breakdown Voltage
450V
Collector Emitter Saturation Voltage
380mV
Collector-emitter Voltage-Max
750mV
Current Rating
5A
Emitter Base Voltage (VEBO)
12V
Verkrijg bandbreedteproduct
440MHz
FAQ
Zijn er gerelateerde of alternatieve onderdelen voor MJE18004D2?
Ja. Op deze pagina kunnen gerelateerde of alternatieve onderdelen worden weergegeven wanneer relevante productgegevens beschikbaar zijn.
In welke behuizing of verpakking is MJE18004D2 beschikbaar?
Is MJE18004D2 momenteel op voorraad?
Wat is het montagetype van MJE18004D2?
Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt MJE18004D2?
Snel citaat
TOEVOEGEN AAN RFQ-LIJST
Niet beschikbaar om online te kopen? Wilt u de lagere groothandelsprijs? Stuur een offerteaanvraag om de beste prijs te krijgen, wij zullen onmiddellijk reageren
SNELLE offerteaanvraag
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
