onsemi_MJD5731T4
original

onsemi
MJD5731T4

276-MJD5731T4
PDF-gegevensblad
350V PNP BJT Power Transistor, 1A, TO-252

Waarom voor ons kiezen?

Professioneel platform

B2B & B2C inkoop

Snelle levering

1-2 dagen levertijd

Grote variëteit

Originele fabrikanten

365 dagen garantie

Verantwoorde kwaliteit
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische specificaties

Package/Case
TO-252-3
Collector Base Voltage (VCBO)
5V
Collector Emitter Breakdown Voltage
350V
Collector Emitter Saturation Voltage
1V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
350V
Collector-emitter Voltage-Max
1V
Current Rating
1A
Emitter Base Voltage (VEBO)
5V
Meer tonen

FAQ

Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt MJD5731T4?
Het opgegeven bedrijfstemperatuurbereik van MJD5731T4 is 150°C.
In welke behuizing of verpakking is MJD5731T4 beschikbaar?
Welke spanningsspecificatie staat vermeld voor MJD5731T4?
Zijn er gerelateerde of alternatieve onderdelen voor MJD5731T4?
Is MJD5731T4 momenteel op voorraad?
Snel citaat
TOEVOEGEN AAN RFQ-LIJST

Niet beschikbaar om online te kopen? Wilt u de lagere groothandelsprijs? Stuur een offerteaanvraag om de beste prijs te krijgen, wij zullen onmiddellijk reageren

SNELLE offerteaanvraag