onsemi_HGT1S7N60A4DS
original

onsemi
HGT1S7N60A4DS

279-HGT1S7N60A4DS
PDF-gegevensblad
Insulated Gate Bipolar Transistor

Waarom voor ons kiezen?

Professioneel platform

B2B & B2C inkoop

Snelle levering

1-2 dagen levertijd

Grote variëteit

Originele fabrikanten

365 dagen garantie

Verantwoorde kwaliteit
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Technische specificaties

Package/Case
TO-263AB
Collector Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Collector-emitter Voltage-Max
2.7V
Invoertype
STANDARD
Max Collector Current
34A
Max Operating Temperature
150°C
Meer tonen

FAQ

In welke behuizing of verpakking is HGT1S7N60A4DS beschikbaar?
HGT1S7N60A4DS is momenteel beschikbaar in de behuizing / verpakking TO-263AB.
Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt HGT1S7N60A4DS?
Wat is HGT1S7N60A4DS?
Welke spanningsspecificatie staat vermeld voor HGT1S7N60A4DS?
Zijn er gerelateerde of alternatieve onderdelen voor HGT1S7N60A4DS?
Snel citaat
TOEVOEGEN AAN RFQ-LIJST

Niet beschikbaar om online te kopen? Wilt u de lagere groothandelsprijs? Stuur een offerteaanvraag om de beste prijs te krijgen, wij zullen onmiddellijk reageren

SNELLE offerteaanvraag