Engels
Duits
Japans
Portugees
Korea
Mexico
Microsemi
JANSR2N7389
278-JANSR2N7389
PDF-gegevensblad
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN
Waarom voor ons kiezen?
Professioneel platform
B2B & B2C inkoopSnelle levering
1-2 dagen levertijdGrote variëteit
Originele fabrikanten365 dagen garantie
Verantwoorde kwaliteit
.png)
Technische specificaties
Continuous Drain Current (ID)
6.5A
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Max Operating Temperature
150°C
Min Operating Temperature
-55°C
Max Power Dissipation
25W
Mount
Through Hole
Packaging
Tray
FAQ
Wat is het montagetype van JANSR2N7389?
Volgens de huidige productspecificaties gebruikt JANSR2N7389 een montagetype van Through Hole.
Welk bedrijfstemperatuurbereik ondersteunt JANSR2N7389?
Zijn er gerelateerde of alternatieve onderdelen voor JANSR2N7389?
Welke spanningsspecificatie staat vermeld voor JANSR2N7389?
Is JANSR2N7389 momenteel op voorraad?
Snel citaat
TOEVOEGEN AAN RFQ-LIJST
Niet beschikbaar om online te kopen? Wilt u de lagere groothandelsprijs? Stuur een offerteaanvraag om de beste prijs te krijgen, wij zullen onmiddellijk reageren
SNELLE offerteaanvraag
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
